Pro napěťovou hladinu 600 či 650 V je k dispozici řada tzv. SJ-MOS (Super Junction). Díky extrémně nízkému odporu v sepnutém stavu v kompromisu se zachováním úrovně závěrného napětí (redukce nečistot v polovodičovém přechodu) se výrazně miniaturizuje pouzdro (TO-252, TO-247, TO-220 a TO-3P), dosahuje se v aplikacích vysoké účinnosti a dále potlačení napěťových špiček při vypínání a až 50% snížení času trr.
czRozbalit možnosti
Diskrétní MOSFET tranzistory
Fuji Electric patří k předním světovým výrobcům polovodičových prvků pro výkonovou elektroniku. Vyrábí vlastní čipy a výkonové moduly i diskrétní prvky. Typově sahají tranzistory MOSFET od malého až po vysoké napětí, vyznačují se malými ztrátami nízkým šumem a nízkým odporem v sepnutém stavu.
Diskrétní MOSFET tranzistory - ukázky
