Pro napěťovou hladinu 600 či 650 V je k dispozici řada tzv. SJ-MOS (Super Junction). Díky extrémně nízkému odporu v sepnutém stavu v kompromisu se zachováním úrovně závěrného napětí (redukce nečistot v polovodičovém přechodu) se výrazně miniaturizuje pouzdro (TO-252, TO-247, TO-220 a TO-3P), dosahuje se v aplikacích vysoké účinnosti a dále potlačení napěťových špiček při vypínání a až 50% snížení času trr.
czRozbalit možnosti
Diskrétní MOSFET tranzistory
Fuji Electric patří k předním světovým výrobcům polovodičových prvků pro výkonovou elektroniku. Vyrábí vlastní čipy a výkonové moduly i diskrétní prvky. Typově sahají tranzistory MOSFET od malého až po vysoké napětí, vyznačují se malými ztrátami nízkým šumem a nízkým odporem v sepnutém stavu.
Nabídka zboží - Diskrétní MOSFET tranzistory
Nalezeno 66 položek
| Objednávací kód Výrobce Kód produktu | Název zboží a popis | Expedice | Cena | Do košíku | Pouzdro | chladicí deska | jmenovitý proud [A] | konfigurace/obvod | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 206-FMB07N60S1FUJI ElectricFMB07N60S1 | Na dotaz | na poptávku | D2-Pack | none | 7 | |||
| 206-FMB08N60S1FUJI ElectricFMB08N60S1 | Na dotaz | na poptávku | D2-Pack | none | 8 | |||
| 206-FMB10N60S1FUJI ElectricFMB10N60S1 | Na dotaz | na poptávku | D2-Pack | none | 10 | |||
| 206-FMB13N60S1FUJI ElectricFMB13N60S1 | Na dotaz | na poptávku | D2-Pack | none | 13 | |||
| 206-FMB20N60S1FUJI ElectricFMB20N60S1 | Na dotaz | na poptávku | D2-Pack | none | 20 | |||
| 206-FMB20N60S1FDFUJI ElectricFMB20N60S1FD | Na dotaz | na poptávku | D2-Pack | none | 20 | Co-Pack | ||
| 206-FMB22N60S1FUJI ElectricFMB22N60S1 | Na dotaz | na poptávku | D2-Pack | none | 22 | |||
| 206-FMB22N60S1FDFUJI ElectricFMB22N60S1FD | Na dotaz | na poptávku | D2-Pack | none | 22 | Co-Pack | ||
| 206-FMB30N60S1FUJI ElectricFMB30N60S1 | Na dotaz | na poptávku | D2-Pack | none | 30 | |||
| 206-FMB30N60S1FDFUJI ElectricFMB30N60S1FD | Na dotaz | na poptávku | D2-Pack | none | 30 | Co-Pack |
