Fuji Electric patří k předním světovým výrobcům polovodičových prvků pro výkonovou elektroniku. Vyrábí vlastní křemíkové i SiC čipy a z nich IGBT (MOSFET) moduly. Její výrobky najdete i v mnoha přístrojích renomované konkurence. Hybridní moduly mají IGBT tranzistor z křemíku a antiparalelní diodu z SIC, čímž dosahují nižších ztrát. Ještě vyšších spínacích frekvencí a nižších ztrátových výkonů lze dosáhnout, když na jednom čipu SiC je jak tranzistor (MOSFET) tak dioda (All SiC).
Hybridní moduly jsou k dispozici již v 6. generaci, moduly těchto typů jsou k nalezení ve vyhledávači níže.
Moduly All SiC se vyznačují zcela novým pouzdrem vyvinutým Fuji Electric. Robustní měděný blok s izolačním substrátem je zárukou nízkého tepelného odporu a dobrého rozvodu tepla. Přímé připojení pinů bez spojovacích drátků na čip vede ke zmenšení modulů, nízké induktanci a vysoké spolehlivosti.
Nabízíme volně šiřitelný software pro simulaci ztrát výkonových polovodičů, spouští se bez instalace a mj. funguje také jako parametrický vyhledávač s možností stažení datasheetů.
